１、正常狀態(tài)

在正常狀態(tài)下電路中Ｎ１的“ＣＯ”與“ＤＯ”腳都輸出高電壓，兩個(gè)ＭＯＳＦＥＴ都處于導(dǎo)通狀態(tài)，電池可以自由地進(jìn)行充電和放電，由于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)通阻抗很小，通常小于３０毫歐，因此其導(dǎo)通電阻對(duì)電路的性能影響很小。此狀態(tài)下保護(hù)電路的消耗電流為μＡ級(jí)，通常小于７μＡ。

２、過(guò)充電保護(hù)

鋰離子電池要求的充電方式為恒流／恒壓，在充電初期，為恒流充電，隨著充電過(guò)程，電壓會(huì)上升到４．２Ｖ（根據(jù)正極材料不同，有的電池要求恒壓值為４．１Ｖ），轉(zhuǎn)為恒壓充電，直至電流越來(lái)越小。電池在被充電過(guò)程中，如果充電器電路失去控制，會(huì)使電池電壓超過(guò)４．２Ｖ后繼續(xù)恒流充電，此時(shí)電池電壓仍會(huì)繼續(xù)上升，當(dāng)電池電壓被充電至超過(guò)４．３Ｖ時(shí)，電池的化學(xué)副反應(yīng)將加劇，會(huì)導(dǎo)致電池?fù)p壞或出現(xiàn)安全問(wèn)題。在帶有保護(hù)電路的電池中，當(dāng)控制ＩＣ檢測(cè)到電池電壓達(dá)到４．２８Ｖ（該值由控制ＩＣ決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，其“ＣＯ”腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使Ｖ２由?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了充電回路，使充電器無(wú)法再對(duì)電池進(jìn)行充電，起到過(guò)充電保護(hù)作用。而此時(shí)由于Ｖ２自帶的體二極管ＶＤ２的存在，電池可以通過(guò)該二極管對(duì)外部負(fù)載進(jìn)行放電。在控制ＩＣ檢測(cè)到電池電壓超過(guò)４．２８Ｖ至發(fā)出關(guān)斷Ｖ２信號(hào)之間，還有一段延時(shí)時(shí)間，該延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短由Ｃ３決定，通常設(shè)為１秒左右，以避免因干擾而造成誤判斷。

３、短路保護(hù)

電池在對(duì)負(fù)載放電過(guò)程中，若回路電流大到使Ｕ＞０．９Ｖ（該值由控制ＩＣ決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，控制ＩＣ則判斷為負(fù)載短路，其“ＤＯ”腳將迅速由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海梗郑庇蓪?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷放電回路，起到短路保護(hù)作用。短路保護(hù)的延時(shí)時(shí)間極短，通常小于７微秒。其工作原理與過(guò)電流保護(hù)類(lèi)似，只是判斷方法不同，保護(hù)延時(shí)時(shí)間也不一樣。除了控制ＩＣ外，電路中還有一個(gè)重要元件，就是ＭＯＳＦＥＴ，它在電路中起著開(kāi)關(guān)的作用，由于它直接串接在電池與外部負(fù)載之間，因此它的導(dǎo)通阻抗對(duì)電池的性能有影響，當(dāng)選用的ＭＯＳＦＥＴ較好時(shí)，其導(dǎo)通阻抗很小，電池包的內(nèi)阻就小，帶載能力也強(qiáng)，在放電時(shí)其消耗的電能也少。

４、過(guò)電流保護(hù)

由于鋰離子電池的化學(xué)特性，電池生產(chǎn)廠(chǎng)家規(guī)定了其放電電流最大不能超過(guò)２Ｃ（Ｃ＝電池容量／小時(shí)），當(dāng)電池超過(guò)２Ｃ電流放電時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致電池的永久性損壞或出現(xiàn)安全問(wèn)題。電池在對(duì)負(fù)載正常放電過(guò)程中，放電電流在經(jīng)過(guò)串聯(lián)的２個(gè)ＭＯＳＦＥＴ時(shí)，由于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)通阻抗，會(huì)在其兩端產(chǎn)生一個(gè)電壓，該電壓值Ｕ＝Ｉ＊ＲＤＳ＊２，ＲＤＳ為單個(gè)ＭＯＳＦＥＴ導(dǎo)通阻抗，控制ＩＣ上的“Ｖ－”腳對(duì)該電壓值進(jìn)行檢測(cè)，若負(fù)載因某種原因?qū)е庐惓?，使回路電流增大，?dāng)回路電流大到使Ｕ＞０．１Ｖ（該值由控制ＩＣ決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，其“ＤＯ”腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海梗郑庇蓪?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使回路中電流為零，起到過(guò)電流保護(hù)作用。在控制ＩＣ檢測(cè)到過(guò)電流發(fā)生至發(fā)出關(guān)斷Ｖ１信號(hào)之間，也有一段延時(shí)時(shí)間，該延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短由Ｃ３決定，通常為１３毫秒左右，以避免因干擾而造成誤判斷。在上述控制過(guò)程中可知，其過(guò)電流檢測(cè)值大小不僅取決于控制ＩＣ的控制值，還取決于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)通阻抗，當(dāng)ＭＯＳＦＥＴ導(dǎo)通阻抗越大時(shí)，對(duì)同樣的控制ＩＣ，其過(guò)電流保護(hù)值越小。