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行業(yè)資訊

關(guān)于鋰電池保護(hù)板常見(jiàn)不良分析

來(lái)源:寶鄂實(shí)業(yè)    2019-06-05 16:31    點(diǎn)擊量:
一、無(wú)閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載:
 
此類不良首要排除電芯不良(電芯原本無(wú)電壓或電壓低),假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電,看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板整個(gè)回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等)。
(一)、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假定電芯電壓為3.8V),逐段進(jìn)行分析,此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問(wèn)題。
 
1、FUSE兩端電壓有改動(dòng):檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通,若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)公例FUSE有問(wèn)題(來(lái)料不良、過(guò)流損壞(MOS或IC操控失效)、質(zhì)料有問(wèn)題(在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,持續(xù)往后分析。
 
2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng):檢驗(yàn)R1電阻值,若電阻值失常,則或許是虛焊,電阻自身開(kāi)裂。若電阻值無(wú)失常,則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。
 
3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng):Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常,則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。
 
4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng),檢驗(yàn)B-到P+間的電壓失常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板正極過(guò)孔不通。
 
(二)、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,P-端。
 
1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有改動(dòng),則標(biāo)明MOS管失常。
 
2.若MOS管電壓無(wú)改動(dòng),P-端電壓失常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。
 
二、短路無(wú)保護(hù):
 
1、VM端電阻出現(xiàn)問(wèn)題:可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,供認(rèn)其電阻值大小??措娮枧cIC、MOS管腳有無(wú)虛焊。
 
2、IC、MOS失常:因?yàn)檫^(guò)放保護(hù)與過(guò)流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管,若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問(wèn)題,則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放保護(hù)功用。
 
三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù):
 
1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功用,如G2J,G2Z等。
 
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短,或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開(kāi),如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開(kāi)(萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載)。
 
3、P+、P-間漏電,如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿.(阻值只有幾K到幾百K).
 
4、假設(shè)以上都沒(méi)問(wèn)題,或許IC被擊穿,可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。
 
四、內(nèi)阻大:
 
1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。
 
2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常,則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值,或許過(guò)孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。
 
3、假設(shè)以上多沒(méi)有問(wèn)題,就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常:首要供認(rèn)焊接有沒(méi)有問(wèn)題;其次看板的厚度(是否簡(jiǎn)單彎折),因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂;終究用萬(wàn)用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值,看是否被擊穿。
 
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