(1)制造成本低。這是因為：①半導(dǎo)體層光吸收系數(shù)比晶體硅大一個數(shù)量級，電池厚度只需1μｍ左右，約為晶體硅電池的１／３００，可節(jié)省大量硅材料。②可筆直沉積出薄膜，沒有切片損失。③可采用集成技術(shù)在電池制備過程中一次完成組件，工藝過程簡單。④電池的ｐｉｎ結(jié)是在２００℃左右的溫度下制造的，比晶體硅電池的８００～１０００℃的高溫低得多，能源消耗小。⑤電池的單片面積可大到

 

０．７～１．０ｍ２，組裝方便，易于實現(xiàn)大規(guī)模加工。

 

?２能源消耗的回收期短。每平方米非晶硅電池的加工能耗僅為１００ｋＷ·ｈ左右，能源回收期僅為ｌ～１．５ａ，比晶體硅低得多。

 

?３發(fā)電量多。據(jù)探測，在相同條件下，非晶硅電池的發(fā)電量較單晶硅電池高８％左右，較多晶硅電池高１３％左右。

 

?４售價低。目前約比晶體硅電池的售價約低１／４～１／３。

 

影響非晶硅電池作為地面電源使用的最主要問題，是效率低、穩(wěn)定性差。目前試驗室效率已達(dá)１５％，但加工中電池包件的穩(wěn)定效率僅為５．５％～７．５％。引起效率低、穩(wěn)定性差的主要原由是光誘導(dǎo)衰變，即所謂的Ｓ－Ｗ效應(yīng)。用氫稀釋硅烷辦法生長的ａ－Ｓｉ和ａ－ＳｉＧｅ薄膜可以抑制光誘導(dǎo)衰變，提高效率。使用雙疊層、三疊層或多疊層結(jié)構(gòu)可以增加光譜應(yīng)和，提高效率。但從工業(yè)化加工和地面電源使用的要求來看，問題還遠(yuǎn)未得到令人滿意的處理，仍有許多工作要做。關(guān)于非晶硅電池的衰降問題，許多科研人員已進(jìn)行多年的研究試驗，并還在持續(xù)進(jìn)行著，主要內(nèi)容有：①高質(zhì)量本征非晶硅材料的研究?包括晶化技術(shù)，減少光生亞穩(wěn)態(tài)密度，提高穩(wěn)定性。②高質(zhì)量ｎ型和ｐ型非晶硅材料的研究，改善薄膜完整性，提高摻雜效率，加強(qiáng)內(nèi)建電場，提高電池的穩(wěn)定性。③改善非晶硅電池內(nèi)部界面，降低界面態(tài)，減小界面復(fù)合，提高輸運(yùn)效率、轉(zhuǎn)換效率和電池的穩(wěn)定性。④優(yōu)質(zhì)ａ－Ｓｉ：Ｇｅ合金材料的研究，進(jìn)一步完善雙結(jié)、三結(jié)、多帶隙非晶硅電池，提高效率和電池的穩(wěn)定性。