鋰電池降壓快如何解決？
來(lái)源：未知
2019-03-19 20:25
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目前實(shí)驗(yàn)過(guò)的方案有DC-DC，串聯(lián)IN4007，前者做好后體積過(guò)大，后者簡(jiǎn)單，但是效率不高，我現(xiàn)在的目的是想將3.7V電壓降壓到1.5V，目前使用DC-DC最簡(jiǎn)單，還可以調(diào)壓，但是體積過(guò)大，塞不進(jìn)耳麥殼子里面，求個(gè)效率高且簡(jiǎn)單，體積小的方案簡(jiǎn)單的做法是把輸出跟充電端子分開，充電用原來(lái)的線路，輸出端再串聯(lián)一個(gè)二極管。
如果輸出只有兩條線的限制，可以用兩個(gè)二極管反并聯(lián)接在電路上。
如果要確保鋰電池的充電不受影響，把上述的充電導(dǎo)通的二極管用一個(gè)低壓MOS管代替，MOS管的G連接到充電端（輸出端）。充電時(shí)G有5V電壓，MOS導(dǎo)通，通態(tài)電阻只有毫歐級(jí)，壓降非常小，可以忽略。不接充電器時(shí)，G電位等于電池電壓減去二極管電壓，MOS反偏關(guān)斷，二極管導(dǎo)通，輸出端就可得到你需要的電壓。
如果輸出只有兩條線的限制，可以用兩個(gè)二極管反并聯(lián)接在電路上。
如果要確保鋰電池的充電不受影響，把上述的充電導(dǎo)通的二極管用一個(gè)低壓MOS管代替，MOS管的G連接到充電端（輸出端）。充電時(shí)G有5V電壓，MOS導(dǎo)通，通態(tài)電阻只有毫歐級(jí)，壓降非常小，可以忽略。不接充電器時(shí)，G電位等于電池電壓減去二極管電壓，MOS反偏關(guān)斷，二極管導(dǎo)通，輸出端就可得到你需要的電壓。
普通鋰電池保護(hù)板通常包括控制IC、MOS開關(guān)、電阻、電容及輔助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存儲(chǔ)器等。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關(guān)導(dǎo)通，使電芯與外電路導(dǎo)通，而當(dāng)電芯電壓或回路電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，它立刻控制MOS開關(guān)關(guān)斷，保護(hù)電芯的安全。
在保護(hù)板正常的情況下，Vdd為高電平，Vss，VM為低電平，DO、CO為高電平，當(dāng)Vdd，Vss，VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，DO或CO端的電平將發(fā)生變化。
鋰電池保護(hù)板原理
鋰電池（可充型）之所以需要保護(hù)，是由它本身特性決定的。由于鋰電池本身的材料決定了它不能被過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流、短路及超高溫充放電，因此鋰電池鋰電組件總會(huì)跟著一塊精致的保護(hù)板和一片電流保險(xiǎn)器出現(xiàn)。
鋰電池的保護(hù)功能通常由保護(hù)電路板和PTC等電流器件協(xié)同完成，保護(hù)板是由電子電路組成，在-40℃至+85℃的環(huán)境下時(shí)刻準(zhǔn)確的監(jiān)視電芯的電壓和充放回路的電流，及時(shí)控制電流回路的通斷；PTC在高溫環(huán)境下防止電池發(fā)生惡劣的損壞。
普通鋰電池保護(hù)板通常包括控制IC、MOS開關(guān)、電阻、電容及輔助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存儲(chǔ)器等。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關(guān)導(dǎo)通，使電芯與外電路導(dǎo)通，而當(dāng)電芯電壓或回路電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，它立刻控制MOS開關(guān)關(guān)斷，保護(hù)電芯的安全。
鋰電池保護(hù)板原理詳細(xì)分析
在保護(hù)板正常的情況下，Vdd為高電平，Vss，VM為低電平，DO、CO為高電平，當(dāng)Vdd，Vss，VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，DO或CO端的電平將發(fā)生變化。
1、過(guò)充電檢出電壓：在通常狀態(tài)下，Vdd逐漸提升至CO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)VDD-VSS間電壓。
2、過(guò)充電解除電壓：在充電狀態(tài)下，Vdd逐漸降低至CO端由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)VDD-VSS間電壓。
3、過(guò)放電檢出電壓：通常狀態(tài)下，Vdd逐漸降低至DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)VDD-VSS間電壓。
4、過(guò)放電解除電壓：在過(guò)放電狀態(tài)下，Vdd逐漸上升到DO端由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)VDD-VSS間電壓。
5、過(guò)電流1檢出電壓：在通常狀態(tài)下，VM逐漸升至DO由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)VM-VSS間電壓。
6、過(guò)電流2檢出電壓：在通常狀態(tài)下，VM從OV起以1ms以上4ms以下的速度升到DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)VM-VSS間電壓。
7、負(fù)載短路檢出電壓：在通常狀態(tài)下，VM以O(shè)V起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)VM-VSS間電壓。
8、充電器檢出電壓：在過(guò)放電狀態(tài)下，VM以O(shè)V逐漸下降至DO由低電平變?yōu)樽優(yōu)楦唠娖綍r(shí)VM-VSS間電壓。
9、通常工作時(shí)消耗電流：在通常狀態(tài)下，流以VDD端子的電流（IDD）即為通常工作時(shí)消耗電流。
10、過(guò)放電消耗電流：在放電狀態(tài)下，流經(jīng)VDD端子的電流（IDD）即為過(guò)流放電消耗電流。
