鋰電池維護(hù)板有哪些常見(jiàn)不良問(wèn)題
來(lái)源：寶鄂實(shí)業(yè)
2019-11-02 14:27
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一、無(wú)閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載
此類不良首要掃除電芯不良（電芯原本無(wú)電壓或電壓低），假定電芯不良則應(yīng)查驗(yàn)維護(hù)板的自耗電，看是否是維護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。假定電芯電壓正常，則是由于維護(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體剖析
進(jìn)程如下：
?。ㄒ唬⒂萌f(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩頭，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行剖析，此幾個(gè)查驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
1、FUSE兩頭電壓有改動(dòng)：查驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC操控失效）、材料有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后剖析。
2、R1電阻兩頭電壓有改動(dòng)：查驗(yàn)R1電阻值，若電阻值異常，則或許是虛焊，電阻本身開裂。若電阻值無(wú)異常，則或許是IC內(nèi)部電阻呈現(xiàn)問(wèn)題。
3、IC查驗(yàn)端電壓有改動(dòng)：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端異常，則是由于IC虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng)，查驗(yàn)B-到P+間的電壓異常，則是由于維護(hù)板正極過(guò)孔不通。
?。ǘ?、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動(dòng)，則標(biāo)明MOS管異常。
2.若MOS管電壓無(wú)改動(dòng)，P-端電壓異常，則是由于維護(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。
二、短路無(wú)維護(hù)
1、VM端電阻呈現(xiàn)問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，招認(rèn)其電阻值巨細(xì)?？措娮枧cIC、MOS管腳有無(wú)虛焊。
2、IC、MOS異常：由于過(guò)放維護(hù)與過(guò)流、短路維護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路異常是由于MOS呈現(xiàn)問(wèn)題，則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放維護(hù)功用。
3、以上為正常狀況下的不良，也或許呈現(xiàn)IC與MOS配備不良引起的短路異常。如前期呈現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其間招認(rèn)IC或MOS是否發(fā)生異常最簡(jiǎn)易、直接的辦法就是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行替換。
三、短路維護(hù)無(wú)自恢復(fù)
1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路查驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從查驗(yàn)端移開（萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。
3、P+、P-間漏電，如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿。（阻值只要幾K到幾百K）。
4、假定以上都沒(méi)問(wèn)題，或許IC被擊穿，可查驗(yàn)IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大
1、由于MOS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定，呈現(xiàn)內(nèi)阻大狀況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較簡(jiǎn)略發(fā)生改動(dòng)的元器件。
2、假定FUSE或PTC阻值正常，則視維護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤與元器件面之間的過(guò)孔阻值，或許過(guò)孔呈現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3、假定以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑MOS是否呈現(xiàn)異常：首要招認(rèn)焊接有沒(méi)有問(wèn)題；其次看板的厚度（是否簡(jiǎn)略彎折），由于彎折時(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處異常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否決裂；終究用萬(wàn)用表查驗(yàn)MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
五、ID異常
1、ID電阻本身由于虛焊、開裂或因電阻材料不過(guò)關(guān)而呈現(xiàn)異常：可從頭焊接電阻兩頭，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若開裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開。
2、ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表查驗(yàn)過(guò)孔兩頭。
3、內(nèi)部線路呈現(xiàn)問(wèn)題：可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開、短路現(xiàn)象。
