保護板通常包括控制IC、MOS開關(guān)、電阻、電容及輔助器件NTC、ID存儲器等。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關(guān)導通，使電芯與外電路溝通，而當電芯電壓或回路電流超過規(guī)定值時，它立刻（數(shù)十毫秒）控制MOS開關(guān)關(guān)斷，保護電芯的安全。NTC是Negativetemperaturecoefficient的縮寫，意即負溫度系數(shù)，在環(huán)境溫度升高時，其阻值降低，使用電設(shè)備或充電設(shè)備及時反應(yīng)、控制內(nèi)部中斷而停止充放電。ID存儲器常為單線接口存儲器，ID是Identification的縮寫即身份識別的意思，存儲電池種類、生產(chǎn)日期等信息?？善鸬疆a(chǎn)品的可追溯和應(yīng)用的限制

 

二、保護板的主要作用一般要求在-25℃～85℃時Control(IC)檢測控制電芯電壓與充放電回路的工作電流、電壓，在一切正常情況下C-MOS開關(guān)管導通，使電芯與保護電路板處于正常工作狀態(tài)，而當電芯電壓或回路中的工作電流超過控制IC中比較電路預設(shè)值時，在15～30ms內(nèi)（不同控制IC與C-MOS有不同的響應(yīng)時間），將CMOS關(guān)斷，即關(guān)閉電芯放電或充電回路，以保證使用者與電芯的安全。第二章保護板的工作原理保護板的工作原理圖：，IC由電芯供電，電壓在2v－5v均能保證可靠工作。1、過充保護及過充保護恢復當電池被充電使電壓超過設(shè)定值VC(4.25-4.35V，具體過充保護電壓取決于IC)后，VD1翻轉(zhuǎn)使Cout變?yōu)榈碗娖?，T1截止，充電停止.當電池電壓回落至VCR(3.8-4.1V，具體過充保護恢復電壓取決于IC)時，Cout變?yōu)楦唠娖剑琓1導通充電繼續(xù)，VCR必須小于VC一個定值，以防止頻繁跳變。2、過放保護及過放保護恢復當電池電壓因放電而降低至設(shè)定值VD（2.3-2.5V，具體過充保護電壓取決于IC）時，VD2翻轉(zhuǎn)，以短時間延時后，使Dout變?yōu)榈碗娖?，T2截止，放電停止，當電池被置于充電時，內(nèi)部或門被翻轉(zhuǎn)而使T2再次導通為下次放電作好準備。3、過流、短路保護當電路充放回路電流超過設(shè)定值或被短路時，短路檢測電路動作，使MOS管關(guān)斷，電流截止。第三章保護板主要零件的功能介

 

R1：基準供電電阻；與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路，控制內(nèi)部過充、過放電壓比較器的電平翻轉(zhuǎn)；一般在阻值為330Ω、470Ω比較多；當封裝形式（即用標準元件的長和寬來表示元件大小，如0402封裝標識此元件的長和寬分別為1.0mm和0.5mm）較大時，會用數(shù)字標識其阻值，如貼片電阻上數(shù)字標識473，即表示其阻值為47000Ω即47KΩ（第三位數(shù)表示在前兩位后面加0的位數(shù)）。R2：過流、短路檢測電阻；通過檢測VM端電壓控制保護板的電流，焊接不良、損壞會造成電池過流、短路無保護，一般阻值為1KΩ、2KΩ較多。R3：ID識別電阻或NTC電阻（前面有介紹）或兩者都有?？偨Y(jié)：電阻在保護板中為黑色貼片，用萬用表可測其阻值，當封裝較大時其阻值會用數(shù)字表示，表示方法如上所述，當然電阻阻值一般都有偏差，每個電阻都有精度規(guī)格，如10KΩ電阻規(guī)格為+/－5％精度則其阻值為9.5KΩ－10.5KΩ范圍內(nèi)都為合格。C1、C2：由于電容兩端電壓不能突變，起瞬間穩(wěn)壓和濾波作用。總結(jié)：電容在保護板中為黃色貼片，封裝形式0402較多，也有少數(shù)0603封裝(1.6mm長,0.8mm寬)；用萬用表檢測其阻值一般為無窮大或MΩ級別；電容漏電會產(chǎn)生自耗電大，短路無自恢復現(xiàn)象。FUSE：普通FUSE或PTC（PositiveTemperatureCoefficient的縮寫，意思是正溫度系數(shù)）；防止不安全大電流和高溫放電的發(fā)生，其中PTC有自恢復功能?？偨Y(jié)：FUSE在保護板中一般為白色貼片，LITTE公司提供FUSE會在FUSE上標識字符D-T，字符表示意思為FUSE能承受的額定電流，如表示D額定電流為0.25A，S為4A，T為5A等；現(xiàn)我司所有較多為額定電流為5A的FUSE，即在本體上標識字符’T’。U1：控制IC；保護板所有功能都是IC通過監(jiān)視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執(zhí)行開關(guān)動作來實現(xiàn)的。Cout：過充控制端；通過MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。Dout：過放、過流、短路控制端；通過MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。VM：過流、短路保護電壓檢測端；通過檢測VM端的電壓實現(xiàn)電路的過流、短路保護（U（VM）=I*R（MOSFET））。總結(jié)：IC在保護板中一般為6個管腳的封裝形式，其區(qū)別管腳的方法為：在封裝體上標識黑點的附近為第1管腳，然后逆時針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳；如封裝體上無黑點標識，則正看封裝體上字符左下為第1管腳，其余管腳逆時針類推）C-MOS：場效應(yīng)開關(guān)管；保護功能的實現(xiàn)者；連焊、虛焊、假焊、擊穿時會造成電池無保護、無顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象?？偨Y(jié)：CMOS在保護板中一般為8個管腳的封裝形式，它時由兩個MOS管構(gòu)成，相當于兩個開關(guān)，分別控制過充保護和過放、過流、短路保護；其管腳區(qū)分方法和IC一樣。在保護板正常情況下，Vdd為高電平，Vss、VM為低電平，Dout、Cout為高電平；當Vdd、Vss、VM任何一項參數(shù)變換時，Dout或Cout的電平將發(fā)生變化，此時MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動作（開、關(guān)電路），從而實現(xiàn)電路的保護和恢復功能。第四章保護板主要性能測試方法1．NTC電阻測試：用萬用表直接測量NTC電阻值，再與《溫度變化與NTC阻值對照指導》對比。2．識別電阻測試：用萬用表直接測量識別電阻值，再與《保護板重要項目管理表》對比。3.自耗電測試：調(diào)恒流源為3.7V/500mA；萬用表設(shè)置為uA檔，表筆插入uA接孔，然后與恒流源串聯(lián)起來接保護板B+、B-如下圖所示：此時萬用表的讀數(shù)即為保護板的自耗電，如無讀數(shù)用鑷子或錫線短接B-、P-，激活電路。4.短路保護測試：電芯接到保護板B+、B-上，用鑷子或錫線短接B-、P-，再短接P+、P-；短路后用萬用表測保護板開路電壓（如下圖所示）；反復短接3-5次，此時萬用表讀數(shù)應(yīng)與電芯一致，保護板應(yīng)無冒煙、爆裂等現(xiàn)象