１、正常狀態(tài)　

 

        在正常狀態(tài)下電路中Ｎ１的“ＣＯ”與“ＤＯ”腳都輸出高電壓，兩個(gè)ＭＯＳＦＥＴ　都處于導(dǎo)通狀態(tài)，電池可以自由地進(jìn)行充電和放電，由于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)　通阻抗很小，通常小于３０毫歐，因此其導(dǎo)通電阻對(duì)電路的性能影響很小?！〈藸顟B(tài)下保護(hù)電路的消耗電流為μＡ級(jí)，通常小于７μＡ。

　?。?、過充電保護(hù)　

 

        鋰離子電池要求的充電方式為恒流／恒壓，在充電初期，為恒流充電，隨著充電　過程，電壓會(huì)上升到４．２Ｖ（根據(jù)正極材料不同，有的電池要求恒壓值為４．１Ｖ），轉(zhuǎn)　為恒壓充電，直至電流越來越小。　電池在被充電過程中，如果充電器電路失去控制，會(huì)使電池電壓超過４．２Ｖ后繼續(xù)　恒流充電，此時(shí)電池電壓仍會(huì)繼續(xù)上升，當(dāng)電池電壓被充電至超過４．３Ｖ時(shí)，電池　的化學(xué)副反應(yīng)將加劇，會(huì)導(dǎo)致電池?fù)p壞或出現(xiàn)安全問題?！≡趲в斜Ｗo(hù)電路的電池中，當(dāng)控制ＩＣ檢測(cè)到電池電壓達(dá)到４．２８Ｖ（該值由控制ＩＣ　決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，其“ＣＯ”腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使Ｖ２由　?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了充電回路，使充電器無法再對(duì)電池進(jìn)行充電，起到過　充電保護(hù)作用。而此時(shí)由于Ｖ２自帶的體二極管ＶＤ２的存在，電池可以通過該二　極管對(duì)外部負(fù)載進(jìn)行放電。在控制ＩＣ檢測(cè)到電池電壓超過４．２８Ｖ至發(fā)出關(guān)斷Ｖ２信　號(hào)之間，還有一段延時(shí)時(shí)間，該延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短由Ｃ３決定，通常設(shè)為１秒左右，　以避免因干擾而造成誤判斷。

　?。场⒍搪繁Ｗo(hù)　

 

        電池在對(duì)負(fù)載放電過程中，若回路電流大到使Ｕ＞０．９Ｖ（該　值由控制ＩＣ決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，控制ＩＣ則判斷　為負(fù)載短路，其“ＤＯ”腳將迅速由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海埂。郑庇蓪?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷放電回路，起到短路保護(hù)作用?！《搪繁Ｗo(hù)的延時(shí)時(shí)間極短，通常小于７微秒。其工作原理與　過電流保護(hù)類似，只是判斷方法不同，保護(hù)延時(shí)時(shí)間也不一　樣。　除了控制ＩＣ外，電路中還有一個(gè)重要元件，就是ＭＯＳＦＥＴ，　它在電路中起著開關(guān)的作用，由于它直接串接在電池與外部　負(fù)載之間，因此它的導(dǎo)通阻抗對(duì)電池的性能有影響，當(dāng)選用　的ＭＯＳＦＥＴ較好時(shí)，其導(dǎo)通阻抗很小，電池包的內(nèi)阻就小，　帶載能力也強(qiáng)，在放電時(shí)其消耗的電能也少。

　　４、過電流保護(hù)　

 

         由于鋰離子電池的化學(xué)特性，電池生產(chǎn)廠家規(guī)定了其放電電流最大不能　超過２Ｃ（Ｃ＝電池容量／小時(shí)），當(dāng)電池超過２Ｃ電流放電時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致電　池的永久性損壞或出現(xiàn)安全問題?！‰姵卦趯?duì)負(fù)載正常放電過程中，放電電流在經(jīng)過串聯(lián)的２個(gè)ＭＯＳＦＥＴ　時(shí)，由于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)通阻抗，會(huì)在其兩端產(chǎn)生一個(gè)電壓，該電壓值?。眨剑桑遥模樱?，　ＲＤＳ為單個(gè)ＭＯＳＦＥＴ導(dǎo)通阻抗，控制ＩＣ上的“Ｖ－”腳對(duì)該電壓　值進(jìn)行檢測(cè)，若負(fù)載因某種原因?qū)е庐惓?，使回路電流增大，?dāng)回路電　流大到使Ｕ＞０．１Ｖ（該值由控制ＩＣ決定，不同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，其　“ＤＯ”腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使Ｖ１由?dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放　電回路，使回路中電流為零，起到過電流保護(hù)作用?！≡诳刂疲桑脵z測(cè)到過電流發(fā)生至發(fā)出關(guān)斷Ｖ１信號(hào)之間，也有一段延時(shí)時(shí)　間，該延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短由Ｃ３決定，通常為１３毫秒左右，以避免因干擾而　造成誤判斷?！≡谏鲜隹刂七^程中可知，其過電流檢測(cè)值大小不僅取決于控制ＩＣ的控制　值，還取決于ＭＯＳＦＥＴ的導(dǎo)通阻抗，當(dāng)ＭＯＳＦＥＴ導(dǎo)通阻抗越大時(shí)，對(duì)同　樣的控制ＩＣ，其過電流保護(hù)值越小。

　?。怠⑦^放電保護(hù)

 

    　電池在對(duì)外部負(fù)載放電過程中，其電壓會(huì)隨著放電過程逐漸降低，當(dāng)電池電壓降　至２．５Ｖ時(shí)，其容量已被完全放光，此時(shí)如果讓電池繼續(xù)對(duì)負(fù)載放電，將造成電池　的永久性損壞?！≡陔姵胤烹娺^程中，當(dāng)控制ＩＣ檢測(cè)到電池電壓低于２．３Ｖ（該值由控制ＩＣ決定，不　同的ＩＣ有不同的值）時(shí)，其“ＤＯ”腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海梗郑庇蓪?dǎo)通轉(zhuǎn)為　關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使電池?zé)o法再對(duì)負(fù)載進(jìn)行放電，起到過放電保護(hù)作　用。而此時(shí)由于Ｖ１自帶的體二極管ＶＤ１的存在，充電器可以通過該二極管對(duì)電　池進(jìn)行充電?！∮捎谠谶^放電保護(hù)狀態(tài)下電池電壓不能再降低，因此要求保護(hù)電路的消耗電流極　小，此時(shí)控制ＩＣ會(huì)進(jìn)入低功耗狀態(tài)，整個(gè)保護(hù)電路耗電會(huì)小于０．１μＡ?！≡诳刂疲桑脵z測(cè)到電池電壓低于２．３Ｖ至發(fā)出關(guān)斷Ｖ１信號(hào)之間，也有一段延時(shí)時(shí)　間，該延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短由Ｃ３決定，通常設(shè)為１００毫秒左右，以避免因干擾而造成誤判斷。