關(guān)于鋰電池保護板常見不良介紹
來源：寶鄂實業(yè)
2020-02-01 10:40
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一、無閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負載
此類不良首要排除電芯不良（電芯原本無電壓或電壓低），假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗保護板的自耗電，看是否是保護板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常，則是因為保護板整個回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析
過程如下：
（一）、用萬用表黑表筆接電芯負極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進行分析，此幾個檢驗點都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問題。
1、FUSE兩端電壓有改動：檢驗FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問題（來料不良、過流損壞（MOS或IC操控失效）、質(zhì)料有問題（在MOS或IC動作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后分析。
2、R1電阻兩端電壓有改動：檢驗R1電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開裂。若電阻值無失常，則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。
3、IC檢驗端電壓有改動：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常，則是因為IC虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無改動，檢驗B-到P+間的電壓失常，則是因為保護板正極過孔不通。
（二）、萬用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動，則標明MOS管失常。
2.若MOS管電壓無改動，P-端電壓失常，則是因為保護板負極過孔不通。
二、短路無保護
1、VM端電阻出現(xiàn)問題：可用萬用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，供認其電阻值大小?？措娮枧cIC、MOS管腳有無虛焊。
2、IC、MOS失常：因為過放保護與過流、短路保護共用一個MOS管，若短路失常是因為MOS出現(xiàn)問題，則此板應(yīng)無過放保護功用。
3、以上為正常情況下的不良，也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901，其型號為‘312D’的IC內(nèi)延遲時間過長，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其間供認IC或MOS是否發(fā)作失常最簡易、直接的方法便是對有懷疑的元器件進行替換。
三、短路保護無自恢復(fù)
1、規(guī)劃時所用IC原本沒有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時間過短，或短路檢驗時未將負載移開，如用萬用表電壓檔進行短路表筆短接后未將表筆從檢驗端移開（萬用表相當于一個幾兆的負載）。
3、P+、P-間漏電，如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿。（阻值只有幾K到幾百K）。
4、假設(shè)以上都沒問題，或許IC被擊穿，可檢驗IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大
1、因為MOS內(nèi)阻相對比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對比較簡單發(fā)作改動的元器件。
2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常，則視保護板結(jié)構(gòu)檢測P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值，或許過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3、假設(shè)以上多沒有問題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常：首要供認焊接有沒有問題；其次看板的厚度（是否簡單彎折），因為彎折時或許導(dǎo)致管腳焊接處失常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測是否破裂；終究用萬用表檢驗MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
五、ID失常
1、ID電阻自身因為虛焊、開裂或因電阻質(zhì)料不過關(guān)而出現(xiàn)失常：可從頭焊接電阻兩端，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若開裂則電阻會在重焊后從中裂開。
2、ID過孔不導(dǎo)通：可用萬用表檢驗過孔兩端。
3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問題：可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無斷開、短路現(xiàn)象。
