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電池知識(shí)

低功耗鋰電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

來(lái)源:寶鄂實(shí)業(yè)    2020-03-02 16:14    點(diǎn)擊量:
低功耗鋰電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
為了滿足微功耗面應(yīng)用,提高安全功能,提出了超低功耗鋰電池處理系統(tǒng)的規(guī)劃方案。本方案選擇雙向高端微電流檢測(cè)電路,結(jié)合開路電壓和電荷積分算法完成電量檢測(cè)。選擇紐扣電池代替DC/DC降壓電路,降低最大功耗。該系統(tǒng)具有基極保護(hù)、剩余功率檢測(cè)、缺陷記錄等功能。鋰電池處理系統(tǒng)在表面表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性,工作電流均勻僅為145 A。
 
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,儀器儀表的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,電池電源已成為重要的選擇。電池處理系統(tǒng)是電池安全運(yùn)行的有力保證。目前的電池處理系統(tǒng)大多計(jì)劃使用大容量電池組和較短的電池壽命。這種處理系統(tǒng)所服務(wù)的器件功耗高,電池周期短,處理系統(tǒng)本身的功耗不低,不適合在低功耗的表面應(yīng)用。在氣體的遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)表面,均勻系統(tǒng)的電流只有幾毫安,需要在低溫下連續(xù)工作6個(gè)月以上。為了滿足本項(xiàng)目的應(yīng)用,本文介紹了一種低溫智能鋰電池處理系統(tǒng)的規(guī)劃方案。具有底座保護(hù)、電量測(cè)量、充電平衡、缺陷記錄等功能。實(shí)驗(yàn)表明,該系統(tǒng)功能完善,滿足規(guī)劃要求。
 
1. 系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)
 
低溫鋰電池處理系統(tǒng)主要由基極保護(hù)電路、電量計(jì)、平衡電路和二次保護(hù)組成,如圖1所示。
 
圖1低溫鋰電池處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
 
根據(jù)低功耗的考慮,在規(guī)劃中選擇了很多低功耗的器件,如MSP430FG439低功耗單片機(jī)作為處理器。參考電壓為REF3325,功耗極低,僅3.9db;運(yùn)放使用LT1495,工作電流僅1.5a;數(shù)字電位器采用AD5165,靜態(tài)電流低至50nA。在間歇式運(yùn)行電路中加入功率處理電路,運(yùn)行電流大,降低了能耗。
 
低溫電池組的附加電壓為14.8v,由4個(gè)電池串聯(lián)而成,每個(gè)電池包含8個(gè)單體電池。正常工作電壓2.5v ~ 4.2v。每個(gè)采集周期采集每組電池的電壓,處理器根據(jù)電壓對(duì)保護(hù)實(shí)現(xiàn)電路進(jìn)行指令,并執(zhí)行相應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作。均衡電路的末端是一個(gè)單片微型計(jì)算機(jī)和一個(gè)晶體管,而不是一個(gè)專用的均衡芯片。系統(tǒng)記錄存儲(chǔ)裝置中電壓、電流、溫度、電池壽命、剩余電量等異常信息的最大值。處理器提供TTL通信接口,現(xiàn)場(chǎng)計(jì)算機(jī)通過(guò)TTLRS232轉(zhuǎn)換模塊讀取存儲(chǔ)設(shè)備中的日志。為了避免充電過(guò)程中單片機(jī)崩潰,保護(hù)失效。新增二次保護(hù)電路。若電壓超過(guò)預(yù)置值,則啟動(dòng)二次保護(hù)電路對(duì)三端熔斷器進(jìn)行熔斷,防止事故的發(fā)生。
 
2. 硬件規(guī)劃
 
2.1保護(hù)實(shí)現(xiàn)電路
 
保護(hù)執(zhí)行電路是保護(hù)動(dòng)作的執(zhí)行機(jī)構(gòu),CH是充電控制開關(guān),DISCH是放電控制開關(guān)。通過(guò)控制CH和DISCH可以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作,如圖2電路圖所示。
 
保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)
 
圖2保護(hù)實(shí)現(xiàn)電路
 
CH和DISCH在正常運(yùn)行時(shí)被設(shè)置為低電平,當(dāng)M1和M2同時(shí)打開時(shí)。當(dāng)放電過(guò)流或過(guò)放電發(fā)生時(shí),DISCH設(shè)置為高電平。此時(shí),Q2斷開,通過(guò)Q3靈敏地放電M2柵電容的電荷,使M2瞬間閉合,保護(hù)結(jié)束。當(dāng)有充電流時(shí),可將CH調(diào)至高電平,關(guān)閉M1。電路的MOSFET選擇IRF4310, MOSFET的導(dǎo)通電阻是只有7 kΩ,流可以高達(dá)140。
 
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