發(fā)展基于酰亞胺的新型高性能有機(jī)半導(dǎo)體
郭旭崗教授團(tuán)隊(duì)十年來(lái)一直致力于發(fā)展基于酰亞胺的新型高性能有機(jī)半導(dǎo)體。早在2008年,制備了首個(gè)基于NDI的共軛聚合物(Org.Lett.2008,10,5333.)。經(jīng)過(guò)科研工作者十余年的發(fā)展,NDI聚合物現(xiàn)已經(jīng)成為最成功的n-型聚合物,以其為受體的全聚合物體系保持者多項(xiàng)All-PSCs的效率記錄。郭旭崗教授同時(shí)深入研究了酰亞胺基受體單體家族另外一個(gè)重要成員:雙噻吩酰亞胺(Bithiopheneimide,BTI),并構(gòu)建一系列基于BTI的高性能聚合物半導(dǎo)體。與NDI和PDI相比,BTI分子中的噻吩環(huán)具有更高的化學(xué)活性和大幅度減小的空間位阻,從而提供了一個(gè)前所未有的機(jī)會(huì)對(duì)其化學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行拓展和優(yōu)化。在前期工作中,郭旭崗團(tuán)隊(duì)利用環(huán)稠合策略成功合成了一系列(半)梯型有機(jī)半導(dǎo)體并在有機(jī)薄膜晶體管和全聚合物太陽(yáng)能電池中取得了可比于NDI和PDI聚合物的器件性能(Angew.Chem.Int.Ed.2017,56,9924;Angew.Chem.Int.Ed.2017,56,15304;J.Am.Chem.Soc.2018,140,6095.)。但是,BTI中噻吩環(huán)相對(duì)于NDI和NDI中的苯環(huán)電富性更強(qiáng),在一定程度上降低了酰亞胺的電子親和力。因此通過(guò)拉電子基團(tuán)功能化BTI不僅會(huì)產(chǎn)生更強(qiáng)的電子受體單體同時(shí)還能解決NDI和PDI結(jié)構(gòu)上的缺陷。眾所周知,氟化策略是提高有機(jī)半導(dǎo)體非常有效并被廣泛采用的策略,常用的氟代芳烴,如:氟代噻吩,氟代苯并噻二唑,氟代苯并三氮唑和一些容易合成的F代芳烴是制備氟取代聚合物的主要建筑模塊,然而這些氟代芳烴的拉電子能力通常不夠強(qiáng),因此相應(yīng)的含F(xiàn)聚合物在有機(jī)電池中通常作為聚合物電子給體(p-型)使用。利用F原子修飾高度缺電子的芳烴應(yīng)該是發(fā)展高性能n-型聚合物的有效手段,但合成上面臨很大挑戰(zhàn)。
基于此,郭旭崗團(tuán)隊(duì)克服了合成的挑戰(zhàn),成功制備出新穎的F原子取代的酰亞胺缺電子單體。具體合成方法是利用BTI中噻吩環(huán)α和β位的化學(xué)活性和選擇性差異,設(shè)計(jì)了巧妙的合成路線,既先將F原子引入噻吩β位再成酰亞胺環(huán)(圖2a)。理論計(jì)算表明,相對(duì)于沒(méi)有F取代的酰亞胺受體單體f-BTI2,F取代的單體f-FBTI2表現(xiàn)出更低的分子軌道能級(jí),有助于提升基于f-FBTI2聚合物的n-型性能。為了提高分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移和優(yōu)化n-型性能,單噻吩作為共聚單元制備出D-A型聚合物半導(dǎo)體f-FBTI2-T。












