單晶硅太陽(yáng)能電池
 

硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為成熟。
 

高性能單晶硅電池是建立在高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)加工處理工藝基礎(chǔ)上的?，F(xiàn)在單晶硅的電池工藝己近成熟，在電池制作中，一般都采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)，開發(fā)的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。提高轉(zhuǎn)化效率主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝。

 

單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率無(wú)疑是最高的，在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但由于受單晶硅材料價(jià)格及相應(yīng)的繁瑣的電池工藝影響，致使單晶硅成本價(jià)格居高不下。

多晶硅太陽(yáng)能電池

 

多晶硅是由定向凝固的方法鑄造而成的，它的結(jié)晶速度和生產(chǎn)能力均比單晶硅片的制造快許多。

 

由于晶界的存在和晶體生長(zhǎng)速度很快，多晶硅片的質(zhì)量的均勻性較差，晶界處雜質(zhì)和缺陷濃度較高等。加之多晶硅晶粒晶向的不一致性，不能采用各向異性的化學(xué)腐蝕方法形成有效的絨面，因此在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率比單晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率低很多。